隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用范圍在增加，半導(dǎo)體行業(yè)的分支也逐漸增多，半導(dǎo)體行業(yè)開始一步步走向成熟。

　　1.起源，美國，垂直整合模式

　　1950s，半導(dǎo)體行業(yè)于起源于美國，主要由系統(tǒng)廠商主導(dǎo)。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最初形態(tài)為垂直整合的運(yùn)營模式，即企業(yè)內(nèi)設(shè)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所有的制造部門，僅用于滿足企業(yè)自身產(chǎn)品的需求。

　　2.家電，美國→日本，IDM模式

　　1970s，美國將裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變?yōu)镮DM(IntegratedDeviceManufacture，集成器件制造)模式，即負(fù)責(zé)從設(shè)計、制造到封裝測試所有的流程。與垂直整合模式不同，IDM企業(yè)的芯片產(chǎn)品是為了滿足其他系統(tǒng)廠商的需求。隨著家電產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相互促進(jìn)發(fā)展，日本孵化了索尼、東芝等廠商。我國大部分分立器件生產(chǎn)企業(yè)也采用該類模式。

　　3.PC，美日→韓國、臺灣地區(qū)，代工模式

　　1990s，隨著PC興起，存儲產(chǎn)業(yè)從美國轉(zhuǎn)向日本后又開始轉(zhuǎn)向了韓國，孕育出三星、海力士等廠商。同時，臺灣積體電路公司成立后，開啟了晶圓代工(Foundry)模式，解決了要想設(shè)計芯片必須巨額投資晶圓制造產(chǎn)線的問題，拉開了垂直代工的序幕，無產(chǎn)線的設(shè)計公司(Fabless)紛紛成立，傳統(tǒng)IDM廠商英特爾、三星等紛紛加入晶圓代工行列，垂直分工模式逐漸成為主流，形成設(shè)計(Fabless)→制造(Foundry)→封測(OSAT)三大環(huán)節(jié)。

　　4.智能手機(jī)，全球－－->中國大陸

　　2010s，隨著大陸智能手機(jī)品牌全球市場份額持續(xù)提升，催生了對半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，加之國家對半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持以及人才、技術(shù)、資本的產(chǎn)業(yè)環(huán)境不斷成熟，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)醞釀第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向大陸轉(zhuǎn)移趨勢逐漸顯現(xiàn)。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為代表;再到以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料;現(xiàn)在逐漸過渡到以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料。

　　以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料最大的優(yōu)點在于能夠適應(yīng)高壓，高頻和高溫的極端環(huán)境，性能大幅提升。由于SiC和GaN的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si和GaAs，相應(yīng)的寬禁帶半導(dǎo)體的最高工作溫度要高于第一、第二代半導(dǎo)體材料。擊穿場強(qiáng)和飽和熱導(dǎo)率也遠(yuǎn)大于Si和GaAs。因此，它們是以5G時代為特點的信息產(chǎn)業(yè)的理想材料。

　　根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2016全球半導(dǎo)體下游終端需求主要以通信類(含智能手機(jī))占比為31.5%，PC/平板占比為29.5%，消費電子占比13.5%，汽車電子占比11.6%。

　　除了傳統(tǒng)的3C行業(yè)，半導(dǎo)體行業(yè)還將在一些物聯(lián)網(wǎng)和區(qū)塊鏈等新技術(shù)方面發(fā)揮自己的獨特作用，這些行業(yè)也將推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。